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大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管

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设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应度为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理、设计和制作工艺。

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来源
《半导体光电》 |1998年第1期|56-59|共4页
作者
谢春梅; 潘青; 刘铁权; 黄燕丹; 阎志辉; 江东琼;
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作者单位

重庆光电技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电器件、光电管;
关键词
雪崩光电二极管; 响应度; 暗电流; 噪声因子;

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