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徐保民; 王鸿; 殷之文;
中国科学院上海硅酸盐研究所;
烧结; 陶瓷; 钛酸锶; 电容器; 掺杂;
机译:低温单烧高介电常数SrTiO_3基晶界势垒层电容器材料
机译:具有稳定的抗外加电场电阻率的SrTiO_3基低温烧结晶界层陶瓷
机译:氢致SrTiO_3基晶界势垒层陶瓷电容器的退化
机译:通过低温烧结SRTIO_3陶瓷制备的多层晶界层电容器(MBLC)
机译:在模型电陶瓷中的纳米晶界电活动和电性能的研究:铌掺杂钛酸锶
机译:(Nb + In)共掺杂TiO2陶瓷中晶界电容对巨大介电常数影响的证据
机译:氢致SrTiO3基晶界势垒层陶瓷电容器的退化
机译:特别参考烧结过程中陶瓷材料中晶界的迁移:1987年11月15日至1987年11月14日的覆盖期进度报告
机译:以铌或钽掺杂的钛酸锶为基础的半导体陶瓷材料的烧结体,其电绝缘层与晶界相连
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