一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计

王进军; 田泽; 蒋敏; 王玲玲; 杨智峰; 詹科

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一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计

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采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V～6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度。模拟结果表明:在2.5V～6.5V工作电压范围内,共模输入范围为0.7V～1.465V,差模输入范围为±2.5VT,开环电压增益为AV≈75dB,相位裕度Φ≈65°,单位增益带宽GB≈9.4MHz,共模拟制比CMRR≈74dB,电源拟制比SPRR≈97.5dB,转换速率Sr≈18V/μs。

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来源
《微电子学与计算机》 |2007年第4期|216-219|共4页
作者
王进军; 田泽; 蒋敏; 王玲玲; 杨智峰; 詹科;
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作者单位

西北大学信息科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
误差放大器; 弥勒补偿; 共模拟制比; 电源拟制比; 转换速率;

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