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三星电子开出发1G存储器

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韩国三星电子公司最近投产了将存储单元与逻辑电路集成在一个芯片上的闪存存储器One—NAND，容量为1G。芯片的最小线宽为70nm，数据读出速度为108M／s，比过去90nm的同类产品性能提高60％，生产效率提高70％。该存储器的目标是用于美国将在2007年推出的新操作系统Windows Vistar的计算机中。

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来源
《国外电子测量技术》 |2006年第10期|35-35|共1页
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正文语种 chi
中图分类蜂窝式移动通信系统（大哥大、移动电话手机）;
关键词
韩国三星电子公司; 闪存存储器; Windows; NAND; 电路集成; 存储单元; 数据读出; 产品性能;

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