硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟

王进; 关小军; 曾庆凯; 张向宇

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硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟

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为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理。结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大;3×3×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析;当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加;空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第3期|413-417|共6页
作者
王进; 关小军; 曾庆凯; 张向宇;
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作者单位

山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室;

山东大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体缺陷;
关键词
硅单晶; 形成能; 空位团; 分子动力学;

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