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半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展

         

摘要

最近,国际期刊《纳米快报》(Nano Latters)报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移(triple phase line shift)调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。

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