SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

苏文勇; 李蕊; 邵彬

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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

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对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.

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来源
《北京理工大学学报》 |2005年第6期|522-525|共4页
作者
苏文勇; 李蕊; 邵彬;
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作者单位

北京理工大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
SiGe异质结双极晶体管; 基区渡越时间; Ge分布;

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