Comparison between Double Crystals X-ray Diffraction and Micro-Raman Measurement on Composition Determination of High Ge Content Si_(1-x)Ge_(x) Layer Epitaxied on Si Substrate

Lei ZHAO Yuhua ZUO Buwen CHENG Jinzhong YU Qiming WANG

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获得 Si_(1-x ) Ge_x 层的作文是重要的，特别，那与高 Ge 满足， Si 上的 epitaxied 底层。二个非破坏性的考试方法，两倍晶体X光检查衍射( DCXRD )和 micro-Raman 测量，当当 x 是低的时，二个方法与对方一致时，比较地被介绍在Si_( 1-x ) Ge_x 层决定 x 价值，它显示出那，从两倍晶体X光检查衍射获得的结果不由于发生在Si_( 1-x ) Ge_x 的大紧张松驰是可信的，层 Ge 什么时候满足，比大约20%高。Micro-Raman 测量为比 DCXRD 决定高 Gecontent 是更适当的。

著录项

来源
《材料科学技术：英文版》 |2006年第5期|651-654|共4页
作者
Lei ZHAO Yuhua ZUO Buwen CHENG Jinzhong YU Qiming WANG;
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作者单位

State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics;

Institute of Semiconductors;

Chinese Academy of Sciences;

Beijing 100083;

China;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光化学分析法（光谱分析法）;
关键词
双结晶X-射线衍射法; 微拉曼测量法; 硅; 锗; 成分测定; 晶体外延生长;

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1. Investigation of Ge-Si Atomic Interdiffusion in Ge Nano-dots Multilayer Structure by Double Crystal X-ray Diffraction [J] . Wenhua SHI Lei ZHAO Liping LUO Qiming WANG . 材料科学技术：英文版 . 2007,第3期

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