二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅱ-三段热管炉

陆军; 白博峰; 郭烈锦

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二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅱ-三段热管炉

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以GeSi半导体合金为例,采用准稳态模型数值研究了垂直Bridgman三段热管炉中二元合金单晶生长过程中的热质对流现象。在原型炉计算结果的基础上,考虑坩埚传热效应对晶体生长过程的影响,分析了热质耦合、合金热物性和拉晶速度对热质对流和径向溶质分凝的影响规律。计算结果表明,在垂直Bridgman三段热管炉装置中熔体出现两个上、下对称分布的对流结构,对流驱动力分别是热边界条件不连续性和热物性不匹配引起的径向温度梯度;对于溶质稳定分布的GeSi合金系统,只有当溶质瑞利数与热瑞利数大小相近时,溶质分布才会对热质对流产生明显的抑制;在本文的计算范围内,拉晶速度对晶体生长过程中的流动没有明显影响,但对溶质分布影响明显。

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来源
《人工晶体学报》 |2008年第3期|592-597|共6页
作者
陆军; 白博峰; 郭烈锦;
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作者单位

西安交通大学动力工程多相流国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
垂直Bridgman装置; 热质对流; 温度梯度; 浓度梯度; 径向溶质分凝;

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