Mg:In:Er:LiNbO_3晶体生长及波导基片光损伤的研究

郭亚军; 周玉祥; 张建; 徐玉恒

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Mg:In:Er:LiNbO_3晶体生长及波导基片光损伤的研究

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在LiNbO3中掺进MgO,In2O3,Er2O3以Czochralski技术系统生长了Mg(3mol%):In(1mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(2mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(3mol%):Er(1mol%):LiNbO3晶体。Mg(3mol%):In(3mol%):Er(1mol%):LiNbO3晶体荧光光谱表明4I13/2→　4I15/2(1.53μm)易实现激光振荡。采用质子交换工艺制作Mg:In:Er:LiNbO3晶体波导基片并以m线法研究Mg:In:Er:LiNbO3晶体波导基片的光损伤。发现抗光损伤能力依次为:Mg:In(3mol%):Er:LiNbO3>Mg:In(2mol%):Er:LiNbO3>Mg:In(1mol%):Er:LiNbO3>Er:LiNbO3。以锂空位模型研究Mg:In:Er:LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。

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来源
《人工晶体学报》 |2004年第2期|197-200|共4页
作者
郭亚军; 周玉祥; 张建; 徐玉恒;
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作者单位

哈尔滨工程大学化工学院;

哈尔滨工业大学应用化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
Mg:In:Er:LiNbO3晶体; 晶体生长工艺; 波导基片; 光损伤; 铌酸锂晶体;

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