HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究

张雪锋; 季红兵; 邱云贞; 王志亮; 陈云; 张振娟; 黄静; 徐静平

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为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2010年第4期|485-488|共4页
作者
张雪锋; 季红兵; 邱云贞; 王志亮; 陈云; 张振娟; 黄静; 徐静平;
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作者单位

南通大学电子信息学院;

华中科技大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 高介电常数介质; 散射; 迁移率;

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