一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元

张关保; 刘文平; 唐威

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一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元

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为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对器件的分析及仿真,验证了该结构在模拟电路应用中的有效性.

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来源
《微电子学与计算机》 |2008年第11期|105-108|共4页
作者
张关保; 刘文平; 唐威;
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作者单位

西安微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
单层多晶EEPROM; 浮栅; FN隧道; 附加栅;

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