3C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算

范梦慧; 岑伟富; 蔡勋明; 廖杨芳; 谢晶; 谢泉

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3C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算

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采用第一性原理对3C-Si C块体和3C-Si C(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-Si C块体是带隙为1.44 e V的G-M间接带隙半导体,3C-Si C(111)表面是带隙为2.05 e V的M-G间接带隙半导体,3C-Si C(110)表面形成带隙值为0.87 e V的直接带隙半导体;3C-Si C(100)表面转变为导体。由光学性质分析得到,与3C-Si C块体比较,3C-Si C(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移。

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来源
《人工晶体学报》 |2018年第7期|1346-1352|共7页
作者
范梦慧; 岑伟富; 蔡勋明; 廖杨芳; 谢晶; 谢泉;
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作者单位

贵州大学大数据与信息工程学院;

贵州民族大学机械电子工程学院;

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正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
3C-SiC; 表面; 电子结构; 光学性质; 第一性原理;

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