大直径FZSi中的微缺陷研究

张维连; 赵红生; 孙军生; 张恩怀; 陈洪建; 高树良; 刘涛; 胡元庆; 李颖辉; 郭丽华

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经过化学—机械抛光后 ,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片 ,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形。使用FTIR、XPS、SEM能谱分析等手段的测量结果表明 ,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂 (磷、硼 )和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系 ,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果。本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨。

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来源
《人工晶体学报》 |2002年第6期|595-598|共4页
作者
张维连; 赵红生; 孙军生; 张恩怀; 陈洪建; 高树良; 刘涛; 胡元庆; 李颖辉; 郭丽华;
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作者单位

河北工业大学半导体材料研究所;

天津半导体材料厂;

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正文语种 chi
中图分类 O771;
关键词
热对流; 点缺陷; 单晶; 大直径FZSi; 微缺陷; 研究;

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