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a-Si:H/C-Si异质结的高频C-V特性

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测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.

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来源
《微电子学与计算机》 |1993年第8期|46-48|共3页
作者
毛友德;
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作者单位

合肥工业大学应用物理系;

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正文语种 chi
中图分类 P-N结;
关键词
异质结; C-V特性; 高频;

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