气相辅助电沉积法低温制备CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜的研究

涂丽敏; 郭巧能; 江亚晓; 李海涛; 李少华; 李文标; 潘玲; 陈永生; 杨仕娥

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气相辅助电沉积法低温制备CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜的研究

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采用低成本的气相辅助电沉积方法(vapor-assisted electro-deposition,VAED)成功制备了面积为15 cm^2均匀致密的钙钛矿薄膜。首先通过电化学沉积制备PbO_2薄膜,然后与HI气体反应得到PbI_2薄膜,接下来再与HI和CH3NH2混合气体反应,得到CH_3NH_3PbI_3薄膜。实验发现:电化学沉积电压对PbO_2薄膜的表面形貌和微结构有重要影响;在PbO_2向PbI_2的转化过程中,随着反应时间的减小,PbI_2的结晶性逐渐增强,最佳反应时间为10 min;在钙钛矿的转化过程中,当HI/CH_3NH_2体积比为1∶2时可获得均匀致密、四方相的钙钛矿薄膜。本研究提供了一种低温制备大面积均匀CH_3NH_3PbI_3薄膜的方法,得到的CH_3NH_3PbI_3薄膜可望在光电器件中得到应用。

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来源
《人工晶体学报》 |2018年第2期|302-307|共7页
作者
涂丽敏; 郭巧能; 江亚晓; 李海涛; 李少华; 李文标; 潘玲; 陈永生; 杨仕娥;
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作者单位

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
CH3NH3PbI3薄膜; 气相辅助电沉积法; 低温; 大面积;

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