退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
唐斌; 邓宏; 税正伟; 张强; 郝昕;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
西南石油大学理学院;
ZnO纳米线; 外延生长; 失配度; V—L—S机理;
机译:在阳极氧化铝纳米孔阵列中使用气-液-固生长在Si(100)衬底上合成外延Si(100)纳米线
机译:在Si(100)衬底上无催化剂生长ZnO纳米线:衬底位置对形态,结构和光学性质的影响
机译:Si(100)衬底上单晶α-Si3N4纳米线的无金属催化,方向受控的平面生长
机译:使用阳极氧化铝模板在Si(100)衬底上的垂直Si纳米线的同性端生长
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:用于太阳能电池应用的平面Si(100)平面Si(111)和带纹理的Si(100)衬底上具有良好刻面的带纹理的ZnO的生长和表征
机译:用于太阳能电池应用的平面si(100),平面si(111)和纹理si(100)衬底上的纹理化良好面ZnO的生长和表征
机译:双层金属催化剂生长垂直排列的ZnO纳米线阵列。
机译:使用氮化物中间层在Si衬底上生长单晶ZnO薄膜的方法
机译:氮化物中间层在Si基衬底上单晶ZnO薄膜生长的方法。
机译:在铁或铁相关膜上垂直于其衬底表面的ZnO纳米线阵列的制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。