化学浴法制备CdS薄膜及其光电性能研究

焦静; 沈鸿烈; 王威; 江丰

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本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能。发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV。这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S.cm-1和1.04×10-2S.cm-1。用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第7期|1299-1304|共6页
作者
焦静; 沈鸿烈; 王威; 江丰;
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作者单位

南京航空航天大学材料科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体的光学性质;
关键词
化学浴沉积法; CdS薄膜; 光吸收; 光电响应; 电导率;

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