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一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源

         

摘要

提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法。不同分段子区间复用一个PTAT电路架构,通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流,采用该复用方法,增加一次分段区间,仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻。与一般的分段线性补偿电路相比,所需的MOS器件和BJT器件大大减少了,易于扩展。将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中,在一40~120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿,采用JAZZ BCD05 2P3M BiCMOS工艺实现,仿真结果表明,在整个温度范围,温漂可达到5.85×10^-7/℃,实现了很高的精度。

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