LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用

周欢欢; 陈岚; 尹明会; 王晨; 张卫华

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LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用

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本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.

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来源
《微电子学与计算机》 |2019年第2期|1-5|共5页
作者
周欢欢; 陈岚; 尹明会; 王晨; 张卫华;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

三维及纳米集成电路设计自动化技术北京市重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类一般性问题;
关键词
PDK; LOD; WPE; 纳米工艺;

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