低应力铌酸锂电光调Q开关的研究

王富章; 陈彬; 孙军; 窦飞飞; 张玲; 胡永钊; 许京军

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低应力铌酸锂电光调Q开关的研究

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本文分析了铌酸锂晶体应力,按照来源包括热应力、缺陷应力、加工应力和晶体受到的外力等。对铌酸锂晶体热处理时固溶体脱溶问题的初步分析,采用合适的工艺对晶体毛坯进行了去应力热处理;在调Q开关制作时开发了弹性装配技术取代传统的硬性夹持方案,消除了夹持应力对电光调Q开关的影响。制备的铌酸锂电光调Q开关得到了实际应用,有效提高了激光器工作的温度稳定性。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第7期|1315-1318|共5页
作者
王富章; 陈彬; 孙军; 窦飞飞; 张玲; 胡永钊; 许京军;
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作者单位

中国电子科技集团公司第二十七研究所;

郑州铁路职业技术学院;

南开大学物理学院;

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正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
铌酸锂; 调Q开关; 应力;

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