InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究

谢成城; 王舒民

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InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究

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为了实现半导体微盘激光器的单模面发射 ,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层 ,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀 ,可以对不同的角模式进行有选择的增益 ,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化 ,并根据此模型计算微盘内的场分布和盘外的远场分布 ,并进一步计算有效增益因子。分析表明 ,这种结构能够实现m =1角模式的面发射。

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来源
《半导体光电》 |2000年第3期|188-192|共5页
作者
谢成城; 王舒民;
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作者单位

北京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
微盘激光器; 面发射; 多量子阱; InGaN;

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