具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算

机译：用于Ge-on-SOI MSM光电探测器中的暗电流抑制的新型Silicon驴碳（Si：C）肖特基势垒增强层

机译：Ge层优化技术增强Ge MSM红外光电探测器的势垒

机译：势垒增强层对MSM光电探测器瞬态响应影响的理论分析

机译：具有选择性掺杂势垒层的量子阱红外光电探测器（QWIP）的暗电流的表征

机译：基于具有势垒结构的量子点红外光电探测器：建模和优化。

机译：基于微结的双电子势垒II型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器的暗电流降低

机译：具有Al0.9Ga0.2As0.1Sb0.9势垒层的基于中红外InAs0.79Sb0.21的nBn光电探测器，以及与InAs0.87Sb0.13 p-i-n二极管的比较，两者均使用界面失配阵列在GaAs上生长

机译：1.55微米亚微米手指，具有低暗电流的交叉指型msm光电探测器阵列

机译：用于光电应用的高电子迁移率晶体管，具有在成核层和势垒层水平上载有电子的界面，以及在势垒层表面形成的由氧化铝制成的钝化层

机译：具有肖特基势垒的边界波红外探测器，红外探测器和光电探测器阵列的增加方法，对红外辐射敏感

机译：无接触层的势垒光电探测器