考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型

机译：考虑到源极和漏极结引起的沟道耗尽层变化深度的短沟道MOSFET亚阈值表面电势模型

机译：考虑量子力学效应的n沟道MOSFET表面电势的解析近似

机译：短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极（Re-S / D）UTB SOI MOSFET的阈值电压模型，包括衬底引起的表面电势效应

机译：具有非均匀横向沟道掺杂的亚微米MOSFET中基于表面电势的反向短沟道效应模型

机译：短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性

机译：考虑太阳辐射效应的拱坝热分布数学建模与数值分析

机译：考虑电子相互作用的短n沟道Si-MOSFET中的电子分布

机译：短沟道绝缘栅场效应晶体管的精确模型

机译：具有短沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短沟道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

机译：控制非常短沟道MOSFET的短沟道效应的结构和方法

机译：控制非常短沟道MOSFET的短沟道效应的结构和方法