基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真

裴世锋; 南敬昌; 毛陆虹

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基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真

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设计出一种可应用于RFID系统,同时工作在915 MHz和2.45 GHz的双频段低噪声放大器.该设计以最大程度降低噪声为目标,采用并联LC网络替代传统单一高感值电感,并引入电流复用技术,最终实现高增益低功耗的双频段低噪声放大器的设计目标.仿真结果如下:在915MHz和2.45GHz的频率下,噪声系数均小于0.6dB;S(1,1)小于—15dB;S(2,2)小于—11dB;输入驻波比≤1.4;输出驻波比≤1.8;1dB压缩点约为—16.5dBm.仿真结果表明,在两个频段中的测试结果均优于预期指标的要求,为实际双频段低噪声放大器的设计及优化提供参考。

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来源
《微电子学与计算机》 |2012年第6期|23-27|共5页
作者
裴世锋; 南敬昌; 毛陆虹;
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作者单位

辽宁工程技术大学电子与信息工程学院;

天津大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器;
关键词
RFID系统; 双频段; 低噪声放大器; 并联LC网络; 电流复用技术;

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