单晶铝孔洞生长的分子动力学模拟

胡晓燕; 徐建刚; 闫新兴

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单晶铝孔洞生长的分子动力学模拟

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用分子动力学方法模拟不同晶向单轴加载过程中,单晶铝中微纳米孔洞(约1.6 nm)的生长及周围区域的变形过程。为研究晶向对孔洞生长的影响,对具有相同初始孔洞体积分数的两个晶向进行拉伸加载,并对不同温度影响进行研究。结果表明:A晶向(x-[100],y-[010],z-[001])的形变机制主要是{111}晶面部分位错引起的堆垛层错,B晶向(x-[-110],y-[111],z-[11-2])主要是位错的移动与堆积;B晶向比A晶向的位错成核应力大;B晶向屈服应力比A晶向对温度敏感。

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来源
《兵器材料科学与工程》 |2012年第6期|52-55|共4页
作者
胡晓燕; 徐建刚; 闫新兴;
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作者单位

西安邮电大学理学院;

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正文语种 chi
中图分类晶体的力学性质;
关键词
分子动力学模拟; 纳米孔洞生长; 单晶铝;

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