TAB器件的电特性分析

机译：单门和双栅极纳米MOSFET器件电特性的性能分析

机译：基于电-热-力耦合模型功率器件焊料层失效下的热力特性分析

机译：线性工艺参数相关性分析的系统方法，该工艺参数对16 nm HKMG体FinFET器件的电特性产生工艺变化影响

机译：InP衬底上的II-VI半导体光学器件中n侧结构的电特性分析

机译：基于材料的介电特性的新型器件和异质结构。

机译：随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动

机译：AC薄膜电致发光器件的内部电荷-磷光体场分析，电特性分析和老化研究

机译：铁电薄膜材料特性与微波器件应用设计参数的相关性：建模实例和实验验证

机译：分析半导体器件电特性的方法和系统

机译：用于半导体器件电特性分析的特定部位背面衬垫和微掩膜方法

机译：具有冗余保险丝的半导体器件电特性分析的去除保护层的方法