溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响

袁广才; 徐征; 张福俊; 王勇

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溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响

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采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响．结果表明:改变In_(2-x)^(3+)(Sn_x^(4+)·e)O_3制备过程中的氧含量使Sn^(4+)·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级E_F降低,功函数W_s增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2．5×10^(-4)Ω·cm,透过率达88%以上．

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来源
《材料研究学报》 |2007年第3期|282-286|共5页
作者
袁广才; 徐征; 张福俊; 王勇;
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作者单位

北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类一般性问题;
关键词
无机非金属材料; 反应磁控溅射; ITO薄膜; 快速热退火(RTA); 电阻率;

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