P沟耐熔金属自对MOS场效应晶体管

张成勋

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P沟耐熔金属自对MOS场效应晶体管

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本文讨论和实验了P沟Mo栅自对MOS场效应晶体管的制造技术。获得了良好的P沟器件。鉴定了包括结特性、阈值电压、稳定性、有效沟道迁移率和Si—SiO2介面研究在内的器件特性,并与理论推算值做了比较。采用这种简单程序制造的场效应晶体管的阈值电压,依据Mo和Si—SiO2系统的固有特性,可以予先控制。在低电场情况下,有效迁移率的理论推算值与实验数据相吻合,但在高电场时理论推算值则太低了。结构类似的集成电路与TTL匹配,其阈值重复性良好,同时在加速温度——偏压寿命实验中是稳定的。

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来源
《微电子学与计算机》 |1972年第2期|41-52|共12页
作者
张成勋;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
场效应晶体管; 单极晶体管; 场效应器件; MOS; 栅电极; 阈值电压; 平带电压; 沟道; 器件;

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