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基于部分重构的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟

         

摘要

介绍了一种基于部分重构技术的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟方法.针对SRAM型FPGA的单粒子翻转特性,建立了一种能够模拟不同线性能量转移(LET)值和注量率(Flux)重离子入射的故障注入模型.该模拟方法可用于对SRAM型FPGA应用电路采用的抗辐照加固效果进行定量预评估,验证不同加固方案的有效性,同时还可减少辐照试验的次数,降低试验成本.基于Virtex-4SRAM型FPGA,针对三模冗余(TMR)的单粒子翻转加固方法进行了定量评估.评估试验结果表明,该方法较好地模拟了入射粒子LET值和系统电路失效率之间的关系,验证了三模冗余加固方法的有效性.

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