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聚硅氧烷转化Si-O-C陶瓷的电阻率

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由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220Ω·cm。在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷。制备温度对材料电阻率有很大的影响。

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来源
《稀有金属材料与工程》 |2007年第a01期|619-621|共3页
作者
马青松; 陈朝辉;
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作者单位

国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
Si-O-C陶瓷; 电阻率; 聚硅氧烷; 填料; 先驱体裂解;

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