勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟

宇慧平; 隋允康; 张峰翊; 王学锋

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本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析。

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来源
《人工晶体学报》 |2004年第2期|217-222|共6页
作者
宇慧平; 隋允康; 张峰翊; 王学锋;
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作者单位

北京工业大学机电学院;

北京有色金属研究总院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
单晶硅; 提拉法; 勾形磁场; 磁场强度; 计算公式; 洛伦兹力;

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