首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >IGBT温度特性及其等效电路模拟(英)

IGBT温度特性及其等效电路模拟(英)

         

摘要

文章提出了一种基于子电路的IGBT模型,并对IGBT的温度特性进行模拟。用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效果。用SPICE的LEVEL_8模型,确保模拟的精确性和收敛性。模拟结果表明,无论PT型还是NPT型IGBT,其温度系数均可正可负,纠正了一种普遍的观点称为PT型IGBT,其温度系数可正可负而NPT型IGBT,其温度系数只为正。模拟结果与实验对比符合较好。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号