单晶光纤的显微缺陷与生长条件

陈溪芳; 卢子宏; 陈继勤; 丁祖昌

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单晶光纤的显微缺陷与生长条件

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本文研究激光加热基座法生长的单晶光纤显微缺陷与工艺条件的关系。当工艺条件控制不合适时,会在晶纤中产生直径为2～10μm的微孔。在原棒直径、晶纤直径、提拉速度、原棒送速不变的条件下,当控制熔区长度L为量佳值L_0时,可以获得显微缺陷最少的晶纤。当LL_0时,显微缺陷密度随L的增大而增大。熔区形状的对称性对显微缺陷的密度影响不大。

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来源
《人工晶体学报》 |1990年第3期|235-239|共5页
作者
陈溪芳; 卢子宏; 陈继勤; 丁祖昌;
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作者单位

浙江大学单晶光纤与激光联合研究室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O782.9;
关键词
单晶光纤; 晶体; 生长条件; 显微缺陷;

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