基于GPM的PVT电路快速仿真方法

殷树娟

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本文针对45nm及以下工艺节点中工艺角数目不断增多的情况,利用高斯过程模型GPM的贝叶斯回归方法实现了一种基于GPM的PVT电路快速仿真方法.该方法通过定义一组具有不同概率的备选函数族,在自适应算法下通过尽可能少的仿真次数优化输出变量的不确定度,快速找出电路设计的最坏情况,直至满足设计要求,从而解决了传统的多项式拟合建立PVT解析模型方法的精度问题,能够在保证仿真精度的同时缩短仿真时间,提高电路设计效率.

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来源
《微电子学与计算机》 |2017年第12期|16-18|共4页
作者
殷树娟;
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作者单位

北京信息科技大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
工艺电压温度组合; 高斯过程模型; 工艺角; 最坏情况;

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