热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的I-V特性

董志华; 王金延; 郝一龙; 文正; 王阳元

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热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的I-V特性

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提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的方法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10-7A/cm2数量级,击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO2绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。

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来源
《半导体技术》 |2008年第s1期|87-90|共4页
作者
董志华; 王金延; 郝一龙; 文正; 王阳元;
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作者单位

北京大学微电子研究院宽禁带研究室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
TiO2; AlGaN/GaN; 热氧化; 泄漏电流;

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