BaMgF_4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究

康玲玲; 刘廷禹; 张启仁; 徐灵芝

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BaMgF_4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究

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运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱。采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV。计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203-14.475eV和21.480-21.767 eV两个区间有很明显的吸收峰,吸收边为10.337 eV,对应BaMgF4晶体的本征吸收边125nm,计算结果与实验结果基本一致。

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来源
《人工晶体学报》 |2010年第6期|1470-1474|共5页
作者
康玲玲; 刘廷禹; 张启仁; 徐灵芝;
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作者单位

上海理工大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体的光学性质;
关键词
电子结构; 介电函数; 吸收光谱; BaMgF4晶体;

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