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坩埚下降法生长Bi_(88)Sb_(12)单晶体

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摘要

我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999％)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10^(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进行了讨论。

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来源
《人工晶体学报》 |1990年第3期|208-211|共4页
作者
王春生; 赵超趣; 徐玉恒; 赵业权; 邵纪群;
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作者单位

黑龙江省科学院技术物理研究所;

哈尔滨工业大学应用化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O614.532;
关键词
坩埚下降法; 单晶; Bi88Sb12; 铋; 锑;

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