氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

刘媛媛; 童杨; 王雪霞; 王昆仑; 宋淑梅; 杨田林

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室温下,利用射频磁控溅射技术在p型硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105。

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来源
《人工晶体学报》 |2014年第12期|3108-3112|共5页
作者
刘媛媛; 童杨; 王雪霞; 王昆仑; 宋淑梅; 杨田林;
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作者单位

山东大学空间科学与物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN321.5;
关键词
射频磁控溅射; 氧分压; 光学带隙; IGZO; TFT;

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