三模冗余在高性能抗辐射DSP中的应用

胡孔阳; 胡海生; 刘小明

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三模冗余在高性能抗辐射DSP中的应用

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单粒子翻转(SEU,single event upset)是当高能粒子击中半导体元器件时,引起逻辑发生"0""1"改变,进而导致逻辑错误的现象.在诸如外太空等电磁辐射恶劣的环境中,芯片常常会受到SEU的破坏,由于高性能的DSP规模较大,这种情况发生的概率会更高.针对SEU发生的原理,在抗辐射DSP结构上可以采取多种加固技术.本文基于国产高性能DSP"魂芯"的架构,从可测性和工程性的角度出发,提出了对片上SRAM存储器的加固方案.通过对SRAM采用自刷新和三模冗余技术,可以对SEU进行有效的抑制.

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来源
《微电子学与计算机》 |2019年第3期|58-60|共3页
作者
胡孔阳; 胡海生; 刘小明;
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作者单位

中国电子科技集团公司第三十八研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计与性能分析;
关键词
单粒子翻转; DSP存储器加固; 自刷新; 三模冗余;

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