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一种优化的Flash存储器测试算法

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摘要

直流写、直流擦以及漏极干扰是影响Flash存储器长期有效保存数据的主要原因,本文在Mohammad失效模型的基础上提出了一个更优的测试算法,从而有效缩短测试时间,节约生产成本。

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来源
《微电子学与计算机》 |2004年第5期|121-123|共3页
作者
张曦; 朱一杰; 俞军;
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作者单位

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类数字集成电路、逻辑集成电路;
关键词
直流写; 直流擦; 漏极干扰; 测试算法;

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