硫化镓钡合成、生长及性能研究

郭以峰; 陈炜冬; 林新松; 周宇乔; 叶宁

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硫化镓钡合成、生长及性能研究

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利用硫过量双温区摇摆炉合成法来稳定合成BaGa4S7(BGS)多晶,并用此方法合成出的原料利用坩埚下降法生长BGS单晶。BGS的紫外和红外吸收边分别为350 nm和13.7μm。在50℃时,它在a-,b-和c-方向的热导率分别为1.34 W/(m·K),1.58 W/(m·K)和1.68 W/(m·K)。在1.064μm、2.1μm和9.85μm时,它的激光损伤阈值分别为1.2 J/cm2,7.15 J/cm2和26.2 J/cm2。当泵浦光源在2.2μm左右变化时,非临界相位匹配OPO输出波长在6～10μm之间。

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来源
《人工晶体学报》 |2014年第7期|1595-1601|共7页
作者
郭以峰; 陈炜冬; 林新松; 周宇乔; 叶宁;
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作者单位

中国科学院福建物质结构研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
硫镓钡; 坩埚下降法; 热导率; 激光损伤阀值;

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