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付蕊; 化麒麟; 涂洁磊;
云南师范大学太阳能研究所;
电子束蒸发; ZnS薄膜; 衬底温度; 微结构; 光学特性;
机译:衬底温度对电子束蒸发法沉积硫化铜铋薄膜结构,形貌和光学性能的影响
机译:衬底温度对电子束蒸发法制备碲化铜薄膜的结构,形态,光学和电学性质的影响
机译:衬底温度对电子束蒸发沉积CdSe薄膜结构和光学性能的影响
机译:离子辅助和衬底温度对电子束蒸发产生的MGF2薄膜光学性质和微观结构的影响
机译:脱壳温度和时间对CuInS2 / ZnS量子点光学和结构性质的影响。
机译:热蒸发法沉积纳米结构化CdS薄膜:衬底温度的影响
机译:衬底温度对电子束蒸发沉积纳米CdTe薄膜的结构和光学性能的影响
机译:衬底对金属有机化学气相沉积制备的外延pbTiO(sub 3)薄膜的结构和光学性质的影响
机译:利用晶体特性的薄膜结构零基板温度特性薄膜形成
机译:改变影响可切换元件的至少一种光学特性的至少一个控制变量涉及限制由于吸收电磁辐射而产生的温度梯度。
机译:热释电或薄膜辐射热测量仪热辐射传感器-在硅衬底上的传感器的辐射接收表面上具有可红外吸收特性的光刻结构层,厚度为几微米。
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