Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用

祁慧; 高勇; 安涛

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Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用

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随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。

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来源
《微电子学》 |2003年第2期|127-131|共5页
作者
祁慧; 高勇; 安涛;
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作者单位

西安理工大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
Si1-x-yGexCy合金半导体技术; 硅锗碳三元化合物; 半导体材料; 应变补偿; 场效应晶体管; 异质结晶体管; 光电子器件;

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