In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO_2粉体Zeta电位的影响(英文)

胡学兵; 周健儿; 徐小勇; 汪永清; 张小珍

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以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO2粉体。实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO2粉体的物化性能进行了研究。结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO2粉体具有较低的Zeta电位。相对于纯SnO2粉体,In掺杂改变了SnO2的晶胞参数并增大了其晶胞体积。

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来源
《人工晶体学报》 |2009年第6期|1485-1488|共4页
作者
胡学兵; 周健儿; 徐小勇; 汪永清; 张小珍;
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作者单位

景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室;

萍乡高等专科学校;

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正文语种 chi
中图分类陶瓷工业;
关键词
SnO2粉体; In掺杂; Zeta电位; 晶胞体积;

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