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一种提取 Statz MESFET非线性电容模型参数的方法

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文章提出一种提取 Statz GaAs MESFET非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法，并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据，判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明，对偏置点少的电容 Cgs和 Cgd数据情况，提取 Statz非线性电容模型参数较适用。

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来源
《微电子学与计算机》 |2000年第5期|45-47|共3页
作者
顾聪; 刘佑宝;
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作者单位

西安微电子技术研究所;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
非线性电容模型; MESFET; Statz; 砷化镓;

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