溅射功率和溅射时间对Mg_(2)Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

廖杨芳; 谢泉

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溅射功率和溅射时间对Mg_(2)Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

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采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg_(2)Si纳米晶薄膜,研究了Mg_(2)Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg_(2)Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样品均呈现出Mg_(2)Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm^(-1)附近的F2g模及347 cm^(-1)附近的F1u(LO)模。随着溅射功率增加,样品的电阻率减小;随着溅射时间增加,样品的电阻率先减小后增大,溅射时间为40 min时,样品的电阻率最小。

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来源
《人工晶体学报》 |2021年第9期|1675-1680|共6页
作者
廖杨芳; 谢泉;
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作者单位

贵州师范大学物理与电子科学学院;

贵阳550001;

贵州大学大数据与信息工程学院;

贵阳550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Mg_(2)Si; 薄膜; 射频磁控溅射; 溅射功率; 溅射时间; 电阻率;

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