高速BiCMOS工艺研究

许忠义; 章定康; 沈文正

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高速BiCMOS工艺研究

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研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．

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来源
《微电子学与计算机》 |1995年第3期|1-5|共5页
作者
许忠义; 章定康; 沈文正;
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作者单位

航天工业总公司西安微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
BiCMOS; 工艺; 双极晶体管;

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