自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器

李特; 郝二娟; 王勇; 芦鹏; 李再金; 李林; 曲轶; 刘国军

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介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nm VCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上,制备了不同出光孔径的850nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW,微分量子效率达到43%。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比,并分析了产生输出特性差异的原因。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2011年第6期|586-589|共4页
作者
李特; 郝二娟; 王勇; 芦鹏; 李再金; 李林; 曲轶; 刘国军;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;

吉林大学和平校区公共教学中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器结构;
关键词
自绝缘; 氧化限制垂直腔面发射激光器; 850; nm; 功率;

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