四钼酸铵在过饱和溶液中的成核研究(英文)

高绍康; 王桂美; 蒋奕雄; 陈建中

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本文根据经典均匀成核理论,分别研究了硝酸酸沉和盐酸酸沉制备的四钼酸铵过饱和溶液的成核过程,并讨论了过饱和比和温度对成核速率及成核机制的影响。研究结果表明,无论是硝酸酸沉还是盐酸酸沉,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率均随过饱和比和温度的升高而增大;固液界面张力、临界半径及临界成核自由能均随温度的升高而减小。比较硝酸酸沉和盐酸酸沉四钼酸铵过饱和溶液的成核速率,发现后者的成核速率比前者大。

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来源
《人工晶体学报》 |2006年第6期|1232-1237|共6页
作者
高绍康; 王桂美; 蒋奕雄; 陈建中;
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作者单位

福州大学化学化工学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
成核; 诱导期; 过饱和比; 四钼酸铵;

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